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  • 高頻技術機台收費標準
  • 北區機台
  • 南區機台
  • 檢測分析機台
  • 高頻技術機台
  • 服務平台收費標準

 
學界自行操作:以訂價*10%收費。
學界(含中研院)委託代工:技術服務費以學界訂價*10%收費,材料費100%收費。
業界自行操作:不開放。
業界委託代工:以業界訂價收費。

北區機台收費標準
機台編號 設備名稱 自行操作 委託代工
開機費(元/次) 使用費
開機費
(元/次)
使用費
(元/分)
學界
(元/分)
業界
(元/時)
CF-L02A Leica e-beam電子束直寫系統-光罩製作服務 不開放 0 217 433
元/分
Leica e-beam電子束直寫系統-光罩製作服務 光罩圖案佈局-審核 不開放 0 900
元/時
900
光罩圖案佈局-修改 不開放 0 1,300
元/時
1,300
石英光罩製作必須額外支付材料費 不開放 4,000
元/片
玻璃罩製作必須額外支付材料費 不開放 1,000
元/片
CF-L02W Leica e-beam電子束直寫系統 0 167 0 217 26,000
CF-L05 I-line stepper-I-line 光學步進機 0 200 30,000
(業界)
250 27,500
CF-L06 In-line SEM-線上電子顯微鏡 0 1
元/秒
20,000
(業界)
178 13,200
CF-L09 Track-自動化光阻塗佈及顯影系統 0 2
元/秒
20,000
(業界)
203 14,150
CF-L12 ELS7500電子束直寫微影系統 0 35 20,000
(業界)
52 6,000
CF-L13 FIB-離子束電子束雙束系統 委託代工服務 不開放 0 4,500
元/時
7,000
委託TEM樣品製備 不開放 0 10,500
元/個
15,000
元/個
CF-L14 奈米壓印機(Nanoimprint) 0 0.5
元/秒
不開放
CF-L16 S9260A線上顯微鏡(S926A In-Line SEM) 不開放 0 223 223
元/分
CF-L17 阻劑塗佈及顯影系統 ACT8 (TRACK ACT8) 不開放 0 244 244
元/分
CF-L18 聚焦電子束系統 (Focus Electron Beam System)   不開放 0 405 405
元/分
TEM Sample 委託製備 不開放 0 12,500
元/個
17,000
元/個
CF-L19 可變形束電子束曝光機 (Shaped e-beam direct write system) 不開放 0 474 474
元/分
CF-E01 TCP 9400多晶矽乾式蝕刻機(TCP POLY-SILICON ETCHER) 0 25 0 91 6,000
CF-E04 乾式光阻去除機(FUSION OZONE ASHER) 0 17 0 67 4,800
CF-E06 表面輪廓量測儀(SURFACE PROFILER) 0 19 1,000 37 3,240
CF-E07 Mattson ASPEN Asher-乾式光阻去除機 0 42 0 79 5,500
CF-E08 Lam TCP9600 metal etcher金屬乾式蝕刻機 0 25 0 91 6,000
CF-E09 ICP Etcher-感應耦合式電漿蝕刻系統 業界:
2,000
(暫不開放自行操作)
71 4,000
(業界)
100 7,000
CF-E10 Lam2300 多晶矽及介電層乾式蝕刻機台 不開放 0 250 250
元/分
CF-E11 8吋後段金屬層與金屬層間引洞蝕刻機 不開放 0 250 250
元/分
CF-E12 多功能後段蝕刻機 0 88 0 113 169
元/分
CF-T02 多功能真空濺鍍系統(SPUTTERING) 0 26 0 2,400
元/時
2,400
CF-T03 水平爐管
Horizontal Furnace
 
T01 Poly Si 0 0.3
元/秒
0 1,000
元/時
1,000
T02 Nitride 0 0.5
元/秒
0 2,000
元/時
2,000
T03 TEOS 0 0.6
元/秒
0 2,500
元/時
2,500
T04 Dope-AMM 0 0.3
元/秒
0 1,100
元/時
1,100
T05 Wet Oxide 0 20 0 20 1,000
T05、6、7 Dry Oxide 0 20 0 1,200
元/時
1,200
T06 Drive-In 0 20 0 20 1,200
T07 P+ Anneal 0 20 0 20 1,700
T08 H2 Sinter 0 0.5
元/秒
0 2,000
元/時
2,000
CF-T04 MOCVD 不開放 0 77 5,400
CF-T06 高密度電漿化學氣相沉積系統(HDPCVD) 0 24 1,000 48 5,350
CF-T07 ANELVA SiGe UHVCME-矽鍺超高真空化學分子磊晶系統 0 25 0 91 6,000
CF-T12 Spin coater Low-k材料旋塗機 0 0.1 
元/秒
0 360
元/時
360
CF-T13 垂直爐管 
Vertical furnace
Dry Oxide 不開放 0 27 1,500
Wet Oxide 不開放 0 27 1,600
Insitu Doped Poly 不開放 0 27 2,000
CF-T15 後段常壓退火爐管Backend Atmospheric Anneal Furnace 0 0.2 
元/秒
0 720
元/時
720
CF-T17 後段真空退火爐管Backend Vacuum Anneal Furnace 1,000 25 1,000 52 4,090
CF-T19 Oxford PECVD電漿輔助化學氣相沈積系統 0 43 1,000 75 5,500
CF-T21 電子束度蒸度系統 E-gun system 2,000 13 3,000 30 2,000
CF-T23 FSE Cluster PVD / 多層金屬濺鍍系統 4,000(業界) 77 4,000
(業界)
110 8,000
CF-T24 低溫碳奈米管化學氣相沈積系統 0 58 不開放
CF-T25 WCVD/鎢金屬化學氣相沉積系統 學界:
1,000
業界:
4,000
(暫不開放自行操作)
102 學界:
1,000
業界:
4,000
139 9,000
CF-T26 後段化學氣相沉積系統 -- 不開放 0 117 117
元/分
CF-T27 RTP-急速升溫退火系統 -- 不開放 0 99 99
元/分
CF-T28 8吋高密度電漿化學氣相沉積系統 不開放 0 179 179
元/分
CF-T29 8吋金屬物理氣相沉積系統 (8吋PVD) 不開放 0 208 208
元/分
CF-C01 CMP化學機械研磨系統 0 73 1,000 106 6,940
CF-C02 Post-cleaner Process化學機械拋光後清洗機 0 25 1,000 76 4,550
CF-C05 前段化學清洗蝕刻工作站front-end wet bench 爐管前-H2SO4 0 60 0 89 6,100
前段化學清洗蝕刻工作站front-end wet bench 爐管前-HCL 0 60 0 89 6,100
前段化學清洗蝕刻工作站front-end wet bench 爐管前-DHF 0 60 0 89 6,100
前段化學清洗蝕刻工作站front-end wet bench 爐管前-NH4OH 0 60 0 89 6,100
前段化學清洗蝕刻工作站front-end wet bench 光阻區-H2SO4 #1 0 60 0 89 6,100
前段化學清洗蝕刻工作站front-end wet bench 光阻區-H2SO4 #2 0 60 0 89 6,100
前段化學清洗蝕刻工作站front-end wet bench 光阻區 B.O.E.7:1 0 60 0 89 6,100
前段化學清洗蝕刻工作站front-end wet bench 光阻區-金屬層去光阻 Metal P.R.Stripping 0 60 0 89 7,250
前段化學清洗蝕刻工作站front-end wet bench H3PO4(8吋) 0 60 0 89 6,100
前段化學清洗蝕刻工作站front-end wet bench B.O.E.7:1 (8吋) 0 60 0 89 6,100
CF-C06 後段化學清洗蝕刻工作站 H2SO4 0 60 0 89 6,100
後段化學清洗蝕刻工作站 B.O.E.7:1 0 60 0 89 6,100
CF-C08 8英吋化學機械研磨系統 學界:
1,500
業界:
4,000
(暫不開放自行操作)
83 學界:
1,500
業界:
5,000
133 9,000
CF-C09 8吋後段化學清洗蝕刻工作站 0 80 0 97 168
元/分
CF-C10 8吋前段化學清洗蝕刻工作站 0 99 0 124 124
元/分
CF-S01 JETFIRST RTP高介電材料快速退火爐 0 15 2,000 48 3,600
CF-S02 KORONA RTP 800急速升溫退火爐 0 18 2,000 52 3,925
RDT-002 AG-610i快速退火爐 不開放 2,000 53 3,580
CF-S04 AG-610金屬快速退火爐 0 18 2,000 52 3,580
CF-S05 iStar 12"高電流離子佈植機 0 205
(暫不開放)
0 240 510
元/分
CF-S06 中電流離子佈植機Implantation (Medium Cruuent) factor=0.5,學界 不開放 0 4,130
元/時
--
factor=1.0,業界 不開放 0 -- 5,500
CF-S07 雷射製程系統 不開放 1,000 41 4,000
CF-M02 Nanoindentor奈米壓痕儀 1,500 10 1,500 24 1,500
CF-M09 n&k-薄膜測厚儀 0 0.3 
元/秒
0 1,200
元/時
1,200
CF-M11 雷射刻號機 0 58 0 98 6,048
CF-M13 應力量測儀 Stress Measur. System 0 23 1,000 48 3,160
CF-M15 四點探針電阻量測系統4-point probe 0 0.2 
元/秒
0 800
元/時
800
CF-M16 傅立葉轉換紅外線光譜儀FTIR 0 0.2 
元/秒
500 1,452
元/時
1,452
CF-M17 多功能電性量測系統 0 5 不開放
CF-M18 紫外光可見光光譜儀UV-Vis 0 0.15 
元/秒
0 600
元/時
600
CF-M19 金屬膜四點探針量測儀 Metal 4 point probe 0 0.4 
元/秒
0 1,800
元/時
1,800
CF-M20 薄膜附著力量測系統Adhesion tester 業界(with ceramics) -- 0 -- 5,688
學界(without ceramics) 0 27 0 46 2,808
CF-M23 光學折射儀NK1500 0 50 0 67 4,500
CF-M24 表面污染分析儀 Surfscan 0 48 0 73 5,000
CF-M25 M2000_Ellipsometer
橢圓測厚儀
0 67 0 100 100
元/分
CF-M26 全反射螢光光譜儀 0 87 0 112 168
元/分
CF-M28 WYKO 白光干涉儀 0 18 0 35 53
元/分
R514 Chem Lab化學實驗室 0 5 不開放
RDT-001 ALD原子層沉積系統 不開放 0 209 209
元/分
BIO-001 微機電應用實驗室 0 20 不開放 20
元/分
RDT-003 低溫微波加熱系統 不開放 0 100 100
元/分
RDT-004 TCAD元件模擬分析軟體 52126
元/年
  不開放
RDT-005 ASM四族磊晶機台(EPSILON 2000+)   不開放 0 367 367
元/分
材料費 -- 0 8000
元/時
8000
註:委託代工時數未達半小時(30分)者以半小時計。

 
學界自行操作:以訂價*10%收費。
學界(含中研院)委託代工:技術服務費以學界訂價*10%收費,材料費100%收費。
業界自行操作:不開放。
業界委託代工:以業界訂價收費。

南區機台收費標準
 
機台編號 設備名稱 自行操作 委託代工
開機費(元/次) 使用費
開機費
(元/次)
使用費
(元/分)
學界
(元/分)
業界
(元/時)
SE-001 電漿輔助式化學氣相沈積&感應耦合式蝕刻系統(PECVD&ICP) 0 50 1,000 58 6,000
SE-002 反應式離子蝕刻系統(STS) 0 17 0 42 5,500
SE-003 金屬濺鍍系統(Sputter) 0 22 0 38 2,800
SE-004 金屬薄膜電阻量測儀(M-gauge) 0 34 1,000 50 3,080
SE-005 四點探針電阻量測(four point probe) 0 0.1
元/秒
0 不開放委託操作
SE-006 電子顯微鏡(SEM) 0 19 0 40 2,500
SE-007 薄膜測厚儀(n&k analyzer) 0 0.3
元/秒
0 1,500
元/時
1,500
SE-008 濕式蝕刻清洗系統(Wetbench) 0 20 0 54 3,500
SE-009 自動化光阻塗佈及顯影系統(Track) 0 35 20,000 46 11,500
SE-010 光罩對準曝光系統(Mask aligner) 0 50 20,000 50 14,000
SE-011 射頻濺渡機(RF Sputter) 0 13 0 不開放委託操作
SE-012 高溫及低壓爐管(Oxidation) 0 15 0 29 6,000
SE-012 高溫及低壓爐管(多晶矽) 0 30 0 29 10,000
SE-012 高溫及低壓爐管(退火) 0 15 0 29 6,000
SE-013 光阻去除及濕蝕刻化學槽(Prstrip&wet etching chemical hood) 0 18 0 不開放委託操作
SE-013 光阻去除及濕蝕刻化學槽(有機) 0 18 0 不開放委託操作
SE-014 破片光阻旋轉塗佈機(Spincoater) 0 5 0 不開放委託操作
SE-016 熱蒸鍍機(Thermal coater) 0 11 0 36 3,500
SE-017 光罩對準曝光機(MJB3) 0 6 0 不開放委託操作
SE-019 表面輪廓量測儀(Profile meter) 0 17 1,000 33 2,000
SE-020 鍍金機(Gold Sputter) 0 0.2
元/秒
0 不開放委託操作
SE-021 熱燈絲化學氣相沉積系統 0 30 0 38 38
元/分
SE-022 銅電鍍系統 Cu electroplating 0 0.97
元/秒
0 3,450
元/時
3,450
SE-C01 太陽光模擬器與IV量測系統(Science Tech 150W) 0 15 0 24 5,000
SE-C02 全波段入射光子轉換效率光度計(IPCE) 0 27 0 43 3,500
SE-C03 表面修飾製程塗佈系統 0 0.1
元/秒
0 不開放委託操作
SE-C04 紫外光/可見光 光譜儀(UV-VIS-NIR Spectrophotometer) 0 20 0 36 2,340
SE-C05 螢光光譜儀(photoluminescence) 0 20 0 37 2,340
SE-C06 直流量測系統(HP4145B) 0 7 600 55 3,400
SE-C08 電子槍蒸鍍系統 0 40 0 50 50
元/分
SE-C10 氮氣手套箱及有機金屬蒸鍍系統 0 21 0 29 29
元/分
SE-C11 快速退火系統(RTP system) 0 17 0 25 25
元/分
SE-C12 X光螢光分析儀 0 23 0 40 40
元/分
SE-C13 太陽能真空薄膜濺鍍機(RF sputter) 0 30 0 40 40
元/分
註:委託代工時數未達半小時(30分)者以半小時計。

 

 
學界自行操作:以訂價*10%收費。
學界(含中研院)委託代工:技術服務費以學界訂價*10%收費,材料費100%收費。
業界自行操作:不開放。
業界委託代工:以業界訂價收費。

檢測分析組機台收費標準
 
設備編號 設備名稱 收費標準
自行操作
收費標準
(元/秒)
委託代工
收費標準
(元/小時)
備註
NM-001 場發射掃描式電子顯微鏡 (FESEM) 0.4 2,550  
NM-002 大試片掃描探針顯微鏡(8吋晶片) (AFM) 0.45 3,000 1,700
高解析AFM才需增加材料費
NM-004 歐傑電子顯微鏡 (AES) -- 5,455  
NM-005 離子減薄機 0.1 --  
NM-006 場發射穿透式電子顯微鏡 (TEM) 1.5 10,800  
NM-007 原子力顯微鏡系統
(破片)
C-AFM 功能 0.6 4,000 2,700
需求導電金屬探針才需額外增加材料費
AFM 功能 3,000 1,700
高解析AFM才需增加材料費
NM-008 X光薄膜繞射儀 (XRD) θ-2θ scan 0.6 2,500  
GIXRD  
NM-009 熱場發射掃描式電子顯微鏡 (TFSEM) 0.6 3,500  
NM-010 試片製備--Silicon 製程 Plane view 0.2 10,000/片  
Cross-section 15,000/片  
試片製備--Sapphire 製程 Plane view 0.2 15,000/片  
Cross-section 20,000/片  
試片製備--其它製程 0.2 依材料特性估價  
NM-011 低溫強磁場系統(LTHM VTI) -- 1,500
最低使用時數4
(小時/樣品數)
 
NM-012 傅氐紅外線光譜(FTIR) -- 500元/次
+1,500元/小時
 
NM-013 二次離子質譜儀(SIMS) -- 學界:5,000
業界:11,000/單位
 
NM-014 電性掃描探針顯微鏡D3100 32
元/分
AFM:50
電性掃描:67
(元/分)
 
NM-015 X光光電子能譜儀 100
元/分
120
元/分
 
NM-016 微觀富氏轉換紅外線儀(Micro-FTIR) 18
元/分
學界:25元/分
業界:35元/分
 
註:委託代工時數未達半小時(30分)者以半小時計。

 

 
學界自行操作:以訂價*10%收費。
學界(含中研院)委託代工:技術服務費以學界訂價*10%收費,材料費100%收費。
業界自行操作:不開放。
業界委託代工:以業界訂價收費。

高頻技術組機台收費標準
 
設備編號 設備名稱 收費標準
自行操作
收費標準
(元/秒)
委託代工
收費標準
備註
HF-001 奈米元件參數量測系統 0.36 5,000
(元/小時)
5,000
非標準量測組態方需加計此材料費用
HF-003 50 GHz元件高頻S參數量測系統 0.7 5,500
(元/小時)
HF-004 高頻雜訊參數量測系統 1-18 GHz 0.84 6,000
(元/小時)
18-65 GHz 不開放 7,000
(元/小時)
HF-005 高頻功率參數量測系統 0.98 6,500
(元/小時)
HF-006 高頻電路量測系統 67 GHz以下 0.98 6,000
(元/小時)
67 GHz以上 不開放 7,000
(元/小時)
HF-007 元件低頻雜訊參數量測系統 0.28 4,000
(元/小時)
HF-009 110 GHz元件高頻S參數量測系統 不開放 7,000
(元/小時)
HF-010 非線性向量網路分析量測系統 不開放 7,000
(元/小時)
HF-011 IV & CV 電性量測系統 0.2 不開放  
HF-012 功率元件量測系統 不開放 85
(元/分)
 
HF-013 毫米波雜訊/功率參數量測系統 不開放 120
(元/分)
 
HF-014 220GHz元件高頻S參數量測系統 不開放 120
(元/分)
 
註:委託代工時數未達半小時(30分)者以半小時計。
註:一般機台委託代工時數需視實際狀況加半小時(例如標準校正)至2小時(例如Waveguide型態架設)不等之前置作業時間。惟Focus與Maury之高頻雜訊/功率量測、140 GHz以上高頻電路量測、與其它客製化量測,則需增加最長6小時之前置作業時間(例如:配合量測功率或頻率之掃描範圍大小與點數疏密程度,所需客製化架設及校正之前置作業時間將會有所不同),前置作業時間會於收到委託申請時進行估算並告知客戶。

 

 

微影光罩設備

設備
編號
設備名稱 聯絡窗口 分機 設備
簡介
技術
資料
標準
製程
注意
事項
標準作業程序 設備考核說明 開放
等級
C01 CMP-化學機械研磨系統 負責-劉信良
代理-洪朝欣
7699
7573
C1-A C1-B C1-C C1-D C1-E C1-F B2
C02 Post-cleaner Process-化學機械拋光後清洗機 負責-劉信良
代理-洪朝欣
7699
7573
C2-A C2-B C2-C C2-D C2-E C2-F B2
C05 Wet Bench (class 100)-清洗蝕刻工作站 負責-彭馨誼
代理-彭桂銘
7714
7606
C5-A C5-B C5-C C5-D C5-E C5-F B1
C06 Wet Bench (class 1000 back end )-後段清洗蝕刻工作站 負責-彭桂銘
代理-彭馨誼
7606
7714
C6-A C6-B C6-C C6-D C6-E C6-F B1
C08 8”CMP-8英吋化學機械研磨系統 負責-劉瑞敏
代理-劉信良
7716
7699
C8-A C8-B C8-C C8-D C8-E -- B4
C09 8吋後段化學清洗蝕刻工作站 負責-彭桂銘
代理-彭馨誼
7606
7714
C9-A C9-B C9-C C9-D C9-E C9-F B4
C10 8"英吋Wet Bench (class 100)-清洗蝕刻工作站 負責-彭馨誼
代理-彭桂銘
7714
7606
C10A C10B C10C C10D C10-E C10-F B4
L02A 光罩製作服務 負責-洪鶯玲
代理-陳世哲
7746
7647
L2A-A L2A-B L2A-C L2A-D -- -- B4
L02W Leica e-beam-電子束直寫系統 負責-劉正財
代理-蔣曉白
7649
7579
L2W-A L2W-B L2W-C L2W-D L2W-E L2W-F B3
L05 I-line stepper-I-line 光學步進機 負責-許進財
代理-陳俊淇
7648
7695
L5-A L5-B
L5C-B
L5-C
L5C-C
L5-D
L5C-D
L5-E L5-F B2
L06 In-line SEM-線上電子顯微鏡 負責-陳世哲
代理-許進財
7647
7648
L6-A L6-B --- L6-D L6-E L6-F B2
L09 Track-自動化光阻塗佈及顯影系統 負責-洪朝欣
代理-鄭旭君
7438
7644
L9-A L9-B L9-C L9-D L9-E L9-F B1
L12 ELS7500電子束直寫系統 負責-陳虹君
代理-劉正財
7575
7649
L12A L12B --- L12D L12-E L12-F B2
L13 FIB-電子束離子束雙束系統 負責-李美儀
代理-陳俊淇
7652
7695
L13A L13B --- L13D L13-E L13-F B4
L14 奈米壓印機(Nanoimprint) 負責-洪朝欣
代理-陳世哲
7573
7647
L14A L14B L14C L14D L14-E L14-F B1
L16 S9260A 線上型電子顯微鏡 負責-許進財
代理-鄭旭君
7648
7644
L16A L16B -- L16D L16-E L16-F B4
L17 阻劑塗佈及顯影系統ACT8 負責-鄭旭君
代理-洪朝欣
7644
7573
L17A L17B L17C L17D L17-E L17-F B4
L18 聚焦電子束系統 負責-陳俊淇
代理-李美儀
7695
7652
L18A L18B -- L18D L18-E L18-F B4
L19 可變形束電子束曝光機 負責-蔣曉白
代理-鄭旭君
7579
7644
L19A L19B L19C L19D L19-E L19-F B4
M09 n&k-薄膜測厚儀 負責-呂如梅
代理-劉瑞敏
7613
7716
M9-A M9-B M9-C M9-D --- M9-F B1
M13 Stress Measurement System-應力量測儀 負責-李美儀
代理-劉瑞敏
7652
7657
M13A M13B M13C M13D M13-E M13-F B2
M16 FTIR-紅外線光譜儀 負責-呂如梅
代理-賴宇紳
7613
7532
M16A M16B --- M16D M16-E M16-F B1
M18 UV-vis-紫外可見光光譜儀 負責-彭桂銘
代理-彭馨誼
7606
7714
M18A M18B M18C M18D M18-E M18-F B1
M19 Metal 4 point probe-金屬膜四點探針量測儀 負責-劉信良
代理-蔣曉白
7699
7579
M19A M19B M19C M19D M19-E M19-F B2
M20 Adhension test-薄膜附著力測試系統 負責-彭桂銘
代理-彭馨誼
7606
7714
M20A M20B M20C M20D M20-E M20-F B1
M23 NK1500-薄膜厚度分析儀 負責-劉瑞敏
代理-呂如梅
7716
7613
M23A -- M23C M23D M23-E M23-F B2
M24 Topcon Surfscan-表面污染分析儀 負責-彭馨誼
代理-彭桂銘
7714
7606
M24A M24B M24C M24D M24-E M24-F B2
M25 Ellipsometer M2000橢圓測厚儀 負責-劉瑞敏
代理-呂如梅
7716
7613
M25A M25B -- M25D M25-E M25-F B2
M28 Wyko 白光干涉儀 負責-呂如梅
代理-賴宇紳
7613
7532
M28A -- M28C M28D M28-E M28-F B3
T12 Spin coater low-k 材料旋塗機 負責-陳世哲
代理-洪朝欣
7647
7573
T12A T12B T12C T12D T12-E --- B1
R514 Chem lab-化學實驗室 負責-彭桂銘
代理-彭馨誼
7606
7714
--- -- -- R514-D -- R514-F B1

蝕刻薄膜設備

設備
編號
設備名稱 聯絡窗口 分機 設備
簡介
技術
資料
標準
製程
注意
事項
標準作業程序 設備考核說明 開放
等級
E01 TCP poly etcher-多晶矽乾式蝕刻機 邱文政 7569 E1-A E1-B E1-C E1-D E1-E E1-F B2
E04 Ozone asher-乾式光阻去除機 劉信良 7699 E4-A E4-B E4-C E4-D E4-E E4-F B1
E06 P-10 surface profiler-表面輪廓量測儀 朱柏豪 7554 E6-A E6-B E6-C E6-D E6-E E6-F B1
E07 Mattson ASPEN Asher-乾式光阻去除機 邱文政 7569 E7-A E7-B E7-C E7-D E7-E E7-F B1
E08 TCP9600 CF-E08 金屬乾式蝕刻機 朱柏豪 7554 E8-A E8-B E8-C E8-D E8-E E8-F B2
E09 ICP Etcher-感應耦合式電漿蝕刻系統 許倬綸 7651 E9-A E9-B E9-C E9-D E9-E E9-F B2
E10 8吋前段多晶矽與介電層蝕刻機 薛富國 7557 E10-A E10-B E10-C E10-D E10-E E10-F B4
E11 8吋後段金屬與金屬層間引洞蝕刻機 許倬綸 7651 E11-A E11-B E11-C E11-D E11-E E11-F B4
E12 多功能後段蝕刻機 唐維翎 7637 E12-A E12-B E12-C E12-D E12-E E12-F --
M11 Laser Marker-雷射刻號機 黃鉦致 7582 M11A M11B M11C M11D M11-E M11-F B4
M26 全反射式X光螢光光譜儀 劉思菁 7661 M26-A M26-B M26-C M26-D -- -- B1
S01 JETFIRST RTP-高介電材料快速退火爐 劉信良 7699 S1-A S1-B S1-C S1-D S1-E S1-F B2
S02 KORONA RTP 800-急速升溫退火爐 巫振榮 7698 S2-A S2-B S2-C S2-D S2-E S2-F B2
S04 AG-610-金屬快速退火爐 劉信良 7699 S4-A S4-B S4-C S4-D S4-E S4-F B2
S05 iStar 12"高電流離子佈值機 廖苑辰 7583 S5-A S5-B S5-C S5-D S5-E S5-F B4
S06 Implantation E500HP-中電流離子佈植機 巫振榮 7698 S6-A S6-B S6-C S6-D S6-E S6-F B4
T02 ULVAC sputter-多功能真空濺鍍系統 周科吟 7539 T2-A T2-B T2-C T2-D T2-E T2-F B1
T03 Horizontal Furnace - 水平爐管 黃鉦致 7582 T3-A T3-B T3-C T3-D T3-E T3-F B2
T04 MOCVD-有機金屬高介電薄膜沉積系統 邱文政 7569 T4-A T4-B T4-C T4-D T4-E T4-F B3
T07 ANELVA SiGe UHVCME-矽鍺超高真空化學分子磊晶系統 朱柏豪 7554 T7-A T7-B T7-C T7-D T7-E T7-F B4
T13 Vertical furnace-垂直爐管 巫振榮 7698 T13-A T13-B T13-C T13-D T13-E T13-F B4
T15 Atmospheric Anneal Furnace-後段常壓退火爐管 巫振榮 7698 T15-A T15-B T15-C T15-D T15-E T15-F B1
T17 Backend vacuum annealing furnace-後段真空退火爐管 巫振榮 7698 T17-A T17-B T17-C T17-D T17-E T17-F B1
T19 Oxford PECVD-電漿輔助化學氣相沈積系統 周科吟 7539 T19-A T19-B T19-C T19-D T19-E T19-F B1
T21 E-gun-電子槍金屬蒸鍍系統 許文達 7537 T21-A T21-B T21-C T21-D T21-E1
T21-E2
T21-F B2
T23 FSE Cluster PVD-多層金屬濺鍍系統 楊雲凱 7763 T23-A T23-B T23-C T23-D T23-E -- B4
T25 WCVD 鎢金屬化學氣相沉積系統 劉思菁 7661 T25-A T25-B T25-C T25-D T25-E T25-F B4
T26 後段化學氣相沉積系統 朱柏豪 7554 T26-A T26-B T26-C T26-D T26-E T26-F B4
T27 急速升溫退火系統 段佑宗 7521 T27-A -- T27-C T27-D T27-E T27-F B4
T28 8吋高密度化學氣相沉積系統 劉思菁 7661 T28-A T28-B T28-C T28-D T28-E T28-F B4
T29 8吋金屬物理氣相沉積系統 (8吋PVD) 楊雲凱 7763 T29-A T29-B T29-C T29-D T29-E T29-F B4

 

 
儀器設備
新進機台成果
 



注意事項:『委託操作申請』請至對外服務系統


 

設備編號

設備名稱

聯絡窗口

分機

設備簡介

標準作業程序

設備考核表

開放等級

放置位置

SE-001

電漿輔助式化學氣相沈積&感應耦合式蝕刻系統(PECVD & ICP)

葉祐名/蔡來福

6605/6609

請至
「對外服務系統/製程與設備服務/儀器設備訓練」申請及下載

B2

5樓R5202

SE-002

反應式離子蝕刻系統(STS)

蔡來福/陳永祥

6625/6609

B2

5樓R5202

SE-003

金屬濺鍍系統(Sputter)

蔡來福/陳永祥

6625/6609

B2

5樓R5202

SE-004

金屬薄膜電阻量測儀(M-gague)

蔡來福/薛漢鼎

6625/6605

B2

5樓R5202

SE-005

四點探針電阻量測儀(Four point probe)

蔡來福/李彥希

6625/6629

B1

5樓R5202

SE-006

電子顯微鏡(SEM)

李彥希/湯淵富

6629/6624

B2

1樓R1301

SE-007

薄膜測厚儀(n&k analyzer)

湯淵富/蔡來福

6624/6625

B2

5樓R5202

SE-008

濕式蝕刻清洗系統(Wet bench)

李彥希/湯淵富

6629/6624

B2

5樓R5202

SE-009

自動化光阻塗佈及顯影系統(Track)

湯淵富/蔡來福

6624/6625

B2

5樓R5202

SE-010

光罩對準曝光系統(Mask aligner)

湯淵富/蔡來福

6624/6625

B2

5樓R5202

SE-011

射頻濺鍍機(RF Sputter)

蔡來福/李彥希

6625/6629

B1

5樓R5202

SE-012

高溫及低壓爐管(Horizontal Furnace)

蔡來福/陳永祥

6625/6609

B2

5樓R5202

SE-013

光阻去除及濕蝕刻化學槽(PR strip & wet etching chemical hood)

李彥希/湯淵富

6629/6624

B1

5樓R5202

SE-014

破片光阻旋轉塗佈機(Spin coater)

湯淵富/蔡來福

6624/6625

B1

5樓R5202

SE-016

熱蒸鍍機(Thermal coater)

湯淵富/陳永祥

6624/6609

B2

5樓R5202

SE-017

光罩對準曝光機(Mask aligner MJB3)

湯淵富/蔡來福

6624/6625

B1

5樓R5202

SE-019

表面輪廓量測儀(Profile meter)

湯淵富/蔡來福

6624/6625

B2

5樓R5202

SE-020

鍍金機(Gold Sputter)

李彥希/湯淵富

6629/6624

B1

1樓R1301

SE-021

熱燈絲化學氣相沉積系統(HWCVD)

蔡來福/湯淵富

6625/6624

B2

5樓R5202

SE-022

半自動化銅電鍍機

葉祐名/湯淵富

8728/6624

B1

5樓R5202

SE-C01

太陽光模擬器與IV量測系統(Science Tech 150W)

陳姿穎/蕭育仁

06-2082408
8703/8712

B2

成大奇美樓8樓

SE-C02

全波段入射光子轉換效率光度計(IPCE)

陳姿穎/蕭育仁

06-2082408
8703/8712

B2

成大奇美樓8樓

SE-C03

表面修飾製程塗佈系統 (NMs Surface Modification and Coating Bench)

陳姿穎/蕭育仁

06-2082408
8703/8712

B1

成大奇美樓8樓

SE-C04

紫外光/可見光 光譜儀 (UV-VIS-NIR Spectrophotometer)

陳姿穎/蕭育仁

06-2082408
8703/8712

B2

成大奇美樓8樓

SE-C05

螢光光譜儀 (photoluminescence)

陳姿穎/蕭育仁

06-2082408
8703/8712

B2

成大奇美樓8樓

SE-C06

直流量測系統(IVCV)

陳姿穎/蕭育仁

06-2082408
8703/8712

B2

成大奇美樓8樓

SE-C08

電子槍蒸鍍系統

李彥希/陳姿穎

06-2082408
8716/8703

B2

成大奇美樓8樓

SE-C10

氮氣手套箱及有機金屬蒸鍍系統

李彥希/蕭育仁

06-2082408
8716/8712

B2

成大奇美樓8樓

SE-C11

快速退火系統 (RTA)

李彥希/陳姿穎

06-2082408
8716/8703

B2

成大奇美樓8樓

SE-C12

X-光螢光分析儀(XRF)

陳姿穎/蕭育仁

06-2082408
8703/8712

B2

成大奇美樓8樓

SE-C13

太陽能真空薄膜濺鍍機(RF Sputter)

李彥希/蕭育仁

06-2082408
8716/8712

B2

成大奇美樓8樓


開放等級:


A 級( expert )
 
以合作研究方式共用 / 學術重要性為考量因素但公佈申請者及使用者 
/ Must be under an expert technician or professor
 
B 級( general )
 
【 B1 】 服務各型計畫使用 / 使用者可以經短期訓練後操作
【 B2 】 服務各型計畫使用 / 自行操作人員限制:原則上同一實驗室碩士班學生不得超過二人、博士班學生不限
【 B3 】 服務各型計畫使用 / 自行操作限博士班學生
【 B4 】 服務各型計畫使用 / 委託操作
C 級( develop new technique and new tool )
 
研發期間不開放使用 / 專注於研發或提升特殊設備之功能 / 人員 expertise 與設備之 unique

設備等級 開放自行操作 開放委託操作
B1  
B2
B3 ●(限博士生)
B4  

 

 

設備編號 設備名稱 聯絡窗口 分機 開放等級 儀器位置 儀器簡介 注意
事項
NM-001 場發射掃描式電子顯微鏡(FESEM)
許瓊姿
7751/7424
B2
R221
NM-002 大試片掃描探針顯微鏡(D5000)
簡依玲
7577/7424
B2
R221
NM-004 歐傑電子顯微鏡(AES)
余東原
7528/7423
B4
R215
NM-005 離子減薄機(PIPS)
吳建霆
7682/7408
B2
R203
NM-006 場發射穿透式電子顯微鏡(TEM)
吳建霆
7682/7425
B3
R229
NM-007 原子力顯微鏡系統(C-AFM)
周棟煥
7553/7424
B2
R221
NM-008 X光繞射儀(XRD)
黃怡晶
7773/7409
B2
R204
NM-009 熱場發射掃描式電子顯微鏡(TFSEM)
許瓊姿
7751/7423
B2
R215
NM-010 試片製備室
吳建霆
7682/7408
B2
R203
--
--
NM-013 二次離子質譜儀(SIMS)
郭美玲
7780/7423
B4
R215
NM-014 電性掃描探針顯微鏡(D3100)
簡依玲
7577/7424
B4
R212
NM-015 X光光電子能譜儀 (XPS)
余東原
7528/7423
B4
R215
NM-016 微觀富氏轉換紅外線儀(Micro-FTIR)
楊忠諺
7726/7424
B2
R221

 

設備編號 設備名稱 設備簡介 聯絡窗口 開放等級 設備位置 晶片佈局相關規定 考核表下載
HF-001 奈米元件參數量測系統 陳柏源
7570,7607
B2 R438 請至「對外服務系統/製程與設備服務/
儀器設備訓練」
申請及下載
HF-003 50GHz元件高頻S參數量測系統 林昭文
7774,7607
B2 R438
HF-004 高頻雜訊參數量測系統 楊超舜
7631,7607
B2 R438
HF-005 高頻功率參數量測系統 莊嘉偉
7574,7607
B2 R432
HF-006 高頻電路量測系統 徐麒翔
7641,7607
B2 R438
HF-007 元件低頻雜訊參數量測系統 陳柏源
7570,7607
B2 R438
HF-009 110GHz元件高頻S參數量測系統 鄧裕民
7633,7607
B4 R432
HF-010 非線性向量網路分析量測系統 莊嘉偉
7574,7607
B4 R432
HF-011 IV&CV電性量測系統 林昭文
7774,7607
B1 R431
HF-012 功率元件量測系統 陳柏源
7570,7607
B4 R431-B
HF-013 毫米波雜訊/功率參數量測系統 楊超舜
7631,7607
B4 R432
HF-014 220GHz元件高頻S參數量測系統 鄧裕民
7633,7607
B4 R434

 

製 程 服 務 平 台 參 考 價 格 說 明
奈米機電技術服務平台
(半導體式氣體感測器元件)
1 die(2x2mm):NT 355
(NDL標準光罩製程元件)
1 片:NT 13 萬
(含500顆die以上)
 
※ 以 NDL 標準製程步驟為主
※ 可自行提供5吋玻璃光罩
平面型元件統合式服務平台
(可應用於新材料與製程技術在元件上的驗證)
1 die(2x2cm):NT 1000
(NDL標準光罩製程元件)
※ 以 NDL 標準製程步驟為主
非平面型元件統合式服務平台
(可應用於 FinFET,GAA NW元件相關研究) 
1 die(2x2cm):NT 3200
(NDL標準光罩製程元件)
※ 以 NDL 標準製程步驟為主
※ 每批上限 6 片(e-beam 考量)
※ 曝光時間 <2hr./wafer
電阻式記憶體製程服務平台
(可應用於非揮發性、嵌入式記憶體陣列元件相關研究)
1 die(2x2cm):NT 200
(NDL標準光罩製程元件)
※ 以 NDL 標準製程步驟為主